首先，碳化硅sic的导热系数是砷化镓的数倍，也是硅的三倍多，这使得制作电流密度更高的器材成为实际。此外，碳化硅sic的击穿场强简直为硅的十倍，因而关于相同的规划，碳化硅器材的击穿电压额定值为硅器材的十倍，这使得制作超高压肖特基二极管成为可能。终，碳化硅为宽带隙资料，碳化硅器材的工作温度比任何硅器材均要高得多。图1对碳化硅、砷化镓和硅这三种资料的热导率、击穿电场强度和带隙进行了比照。
一般来说，如今的太阳能发电体系，每发一瓦电，约需10美元，因而3kw太阳能发电体系约需30,000美元。明显，太阳能发电体系的功率越高，消费者的投入报答就越快。全球日益火急的动力需求也催生了太阳能等代替动力的使用，而采用碳化硅二极管能进步太阳能发电的功率，为消费者带来了更大的效益。
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