svd4n60f n沟道增强型高压功率mos场效应晶体管采用仕兰微电子的s-rintm平面高压vdmos工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。 该产品可广泛应用于ac-dc开关电源,dc-dc电源转换器,高压h桥pmw马达驱动。 特点:* 4a,600v,rds(on)=2.0ω@vgs=10v *低栅极电荷量*低反向传输电容 *开关速度快 *提升了dv/dt 能力* 封装形式:to-220f-3l还可提供其它规格:1n60db(to-92)、1n60m(to-251)、1n60b(to-92)、1n60d(to-252)、2n60f(to-220f)、2n60m(to-251)、2n60d(to-252)、2n60t(to-220)、2n70f(to-220f)、4n60f(to-220f)、4n60d(to-252)、4n60t(to-220)、4n65f(to-220f)、7n60f(to-220f)、7n60t(to-220)、8n60f(to-220f)、10n65f(to-220f)、10n65t(to-220)、12n65f(to-220f)、12n65t(to-220)、730f(to-220f)、730t(to-220)、830f(to-220f)、830t(to-220)、830d(to-252)、840f(to-220f)、840t(to-220)
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