| 加工定制是 | 品牌qorvo |
| 型号MMIC | 种类三极管 |
| 标称频率1MHz | 调整频差1MHz |
| 温度频差1MHz | 总频差1MHz |
| 负载电容1pF | 负载谐振电阻1Ω |
| 激励电平1mW | 基准温度1℃ |
| 插入损耗1dB | 阻带衰减1dB |
| 输入阻抗1kΩ | 输出阻抗1kΩ |
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离散晶体管
qorvo提供各种高功率和高频rf晶体管，包括gaas phemts和gan hemt，均采用裸片和封装形式。
gaas phemts
qorvo采用我们先进的超低噪声0.13μmphemt和0.25μme-phemt工艺，提供各种分立晶体管元件。这些分立器件在设计低噪声放大器（lna）电路时可以让客户完全控制。各种分立式fet提供的nf（min）低至0.15 db，可用于高达22 ghz。匹配的双晶体管也可用，非常适合平衡式lna设计。
砷化镓phemts晶体管
tga2601-sm tgf2018 tgf2025 tgf2040 tgf2060 tgf2080
tgf2120 tgf2160 tgf4350 tqp3m6004 tqp3m6005
低噪声放大器
tql9066 tqp3m9039 tqp3m9040 tqp3m9041
氮化镓 hemts晶体管
qorvo在芯片级封装解决方案中提供了广泛的各种氮化镓（gan）分立晶体管产品，其功率，电压和频率等级各不相同。我们的产品提供高性能的氮化镓和行业标准封装的便利性，加快了设计和制造速度 - 所有这些都支持我们业界领先的可靠性。
gan hemt
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qpd1019new qpd1020new qpd1022new qpd1025new qpd1025lnew qpd1823
qpd1881lnew qpd2194new qpd2195new qpd2730 qpd2731new qpd2793
qpd2795 qpd2796 qpd3601 qpd3800 t1g2028536-fl t1g2028536-fs
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t2g6001528-q3 t2g6001528-sg t2g6003028-fl t2g6003028-fs tgf2023-2-01 tgf2023-2-02
tgf2023-2-05 tgf2023-2-10 tgf2023-2-20 tgf2819-fl tgf2819-fs tgf2929-fl
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tgf2956 tgf2957 tgf2965-sm tgf2977-sm tgf2978-sm tgf2979-sm
tgf3015-sm tgf3020-sm tgf3021-sm tqp0102 tqp0103 tqp0104
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