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sic‐mosfet 与igbt 不同，不存在开启电压，所以从小电流到大电流的宽电流范围内都能够实现低导通损耗。而si‐mosfet 在150℃时导通电阻上升为室温条件下的2 倍以上，与si‐mosfet 不同，sic‐mosfet的上升率比较低，因此易于热设计，且高温下的导通电阻也很低。