逆向加码？韩国三星电子继日前宣布在韩国平泽二厂（p2）扩建极紫外光（euv）晶圆代工生产线（10兆韩元）后，1日再宣布，将以8兆韩元在该厂扩大3d nand记忆体产能，加上市场推估三星可能再加码am投资15兆韩元，这一波景气危机，三星合计可能加码33兆韩元（约新台币8千亿元）大投资。中国电话号码
由于三星的半导体策略一向是在景气低迷时扩大投资，业界认为，三星近期可能会再宣布在p2厂am产能追加投资计划。
据 sammobile 消息，新工厂在前月已开始动工，三星表示闪存芯片的需求量会因5g、人工智能以及万物互联的发展而迅速增长，而新工厂 v-nand 芯片的量产将会在 2021 年下半年开始。分析师表示，三星会为新工厂投资 7-8 万亿韩元（约合人民币 407-465 亿），建成后，这条生产线会满足 nand 闪存芯片的中期和长期需求。三星的平泽工业园区，已经是世界其中两条最庞大的闪存及内存芯片生产线所在地。不过，随着需求量的不断扩大，三星仍然会对其进一步投资。
新工厂的建设于上个月开始，三星表示v-nand闪存芯片的批量生产将从2021年下半年开始。它表示，由于采用率的提高，未来的存储芯片将会用于5g、ai（人工智能）和iot（物联网）。
分析人士说，三星将为新工厂投资7万亿韩元至8万亿韩元（约合400多亿元人民币）。新生产线将满足nand闪存芯片的中期和长期需求。随着数字生活方式的不断发展，该计划进行更多投资。三星的平泽厂区是世界上最大的两条内存生产线的所在地。
在过去18年，三星一直是存储芯片领域的领导者，他们最近还官宣了最新的存储芯片技术——业内首次多达160层的 v-nand 闪存设计。它在拥有更高存储容量的同时，芯片密度更高。三星电子存储全球营销副总裁 cheol choi 表示：“这次投资，再次证明了我们在存储技术领域所拥有的无可争辩的领导地位。即使在不确定的时刻，我们依然会继续为市场提供最佳的内存及闪存解决方案，同时为整个 it 行业和经济增长做出贡献。”
新冠肺炎疫情及中美贸易战导致市场不确定性大增，三星一如过往选择在景气低迷时大举投资，以确保在晶圆代工及记忆体市场的竞争力。据外电报导，三星1日宣布将扩建平泽二厂的3d nand生产线，5月已开始进行无尘室施工，预计2021年下半年进入量产，与同样位于平泽二厂的晶圆代工euv生产线一起启用。
今年3月中旬，该在中国西安的工厂开始大规模生产第五代v-nand，以满足旗舰和高端智能手机市场的需求。新的512gb闪存单元的写入速度超过12gbs，比之前的版本提高了三倍。
当时，三星表示，计划将平泽工厂的v-nand生产从第五代切换到第六代，以更好地应对不断增长的需求。
三星虽然没有公布此次扩建3d nand产能的投资金额，但业界预估大约投入约8兆韩元（约65亿美元），将可增加每月2万片的12吋晶圆产能，明年下半年会量产三星最先进的100层以上3d nand产品，预估第一批投产的产品会是第六代v-nand。
记忆体模组业者指出，美国总统大选年底结束，新冠肺炎疫情明年应会明显缓和，所以记忆体市场明年将会是多头年，包括资料中心、笔电及平板、智能手机等搭载容量将大幅提高，其中，笔电及智能手机搭载512gb及1tb储存容量将成市场主流。三星现在启动扩产计划，明年下半年进入量产，正好可赶上下一波nand flash需求爆发时间点。
三星nand flash生产线主要分布在韩国华城厂区、平泽厂区、以及中国西安厂区。其中，中国西安厂二期及平泽二厂已积极扩建无尘室及增建生产线，其中西安厂二期将用于投产100层以下3d nand的第五代v-nand，平泽二厂则会生产100层以上3d nand的第六代v-nand。
三星平泽二厂是综合型晶圆厂，一层楼规划建置euv晶圆代工及3d nand生产线，另一层楼则追加am生产线。在三星宣布5奈米euv晶圆代工及3d nand产能扩建计划后，业界认为三星应很快会宣布am产能扩建计划（金额推估将达15兆韩元），同样在明年下半年量产。
三星电子表示，加上平泽生产线，韩国将拥有7条芯片制造产线。
三星电子去年4月曾提出“半导体愿景2030”，计划到2030年对系统芯片研发和生产技术领域投资133万亿韩元（约合人民币7658亿元）。