密金属膜电阻
密金属膜电阻的各项指标和密薄膜电阻类似，晶圆密金属膜电阻有被贴片密薄膜电阻替代的趋势，但插脚的密金属膜电阻仍然是主流的低成本的密电阻技术。和密薄膜电阻样，调阻会造成热点效应，影响电阻的稳定性和可靠性。
密电阻是种，主要是有高度，低温漂和高可靠性的种电阻器。温漂可以做到1ppm，度可以做到0.01%。
金属膜密电阻的主体通常为圆柱形；线绕密电阻则有圆柱形、扁柱形和长方框架形几种；金属箔密电阻则常呈方块形或片形。线绕密电阻的匝数较多时，往往采用无感绕制法绕制，正向绕制的匝数和反向绕制的匝数相同，以尽量减小分布电感。长方框架形的线绕密电阻通常是设备制造厂根据需要门定制的，常用于仪器仪表。
密薄膜电阻
密薄膜电阻的技术发展代表了可以被大量商用的密电阻技术，也是目前流行的密电阻技术。通过长时间多层的膜层沉积，高密的调阻和后期的筛选，优的密薄膜电阻可以达到±2ppm/°c的温飘和±0.01%的度，以及很好的长期稳定性。其缺点是功率做不大，低阻值部分指标不好，不抗静电，功率系数差，很难满足小批量的供货，且不同批次的致性不好。
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