自从toshiba（东芝）堆叠式闪存结构研发成功以来，各大闪存厂商改变了过去以更高的制程来获取高容量密度的做法，改而以多层堆叠的方式来提升容量。收购sandisk（闪迪）后，wd（西部数据）在闪存行业磨刀霍霍，转型的意思很明显。在前不久宣布成功研发96层堆叠的3d nand后，昨晚他们再次宣布成功研发64层堆叠的x4闪存（4bit规格，即qlc）。如果不出意料，这种被西数称为bics3 x4的闪存还是基于过去东芝与闪迪合作的产物（东芝将自己的3d闪存称之为bics）。相比机械硬盘，ssd速度要高不少，但是比内存还是慢得多。那为什么会出现无缓存设计呢？这很简单，就是为了省钱。
西数号称自家的bics x4可以做到单芯片768gb即96gb，比起bics x3（tlc）的单芯片容量高出50%。虽然还未正式量产，但西数将在8月份加州圣克拉拉的闪存内存大会上展出基于bics x4的固态硬盘和可移动存储产品。此外，西数还表态将把x4闪存应用于多个领域，而且其未来的96层堆叠闪存同样会有x4版本。