2018全球闪存技术峰会（flash memory summit 2018）正在热火热荼的进行中，各家纷纷亮剑拿出杀手锏来吸引眼球，sk hynix（海力士）方面则宣布了3d nand技术后的替代者4d闪存技术，宣称芯片面积更小、容量更大、性能更强、成本更低。据悉，海力士4d闪存将于今年四季度开始出样，初步定于2019年上半年出货。移动硬盘接口是什么,说到传输接口，首先跳入脑海的就是usb3.0和usb-c，这两个接口也是目前电脑上最为常见的。
据了解，sk海力士第一款4d闪存是v5 512gb tlc、单芯13mm2，比3d减小20%体积、采用96层堆叠技术，bga封装可以做到1tb（128gb），模组最大2tb，能轻松在25寸的u2中做到64tb超大容量。性能方面，io接口速率12gbps（onfi 41标准），读速提升30%、写速提升25%。除了tlc方案，v5 4d闪存也将会推出qlc类型颗粒，同样采用96层堆叠，单die最小1tb，具体细节暂未透露，最快要等到明年下半年才会出样。
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