1.bjt工作在截止区或放大区，集电极电位总高于基极电位，这就避免了bjt因工作在饱和状态而产生的存储电荷问题。
2.逻辑电平的电压摆幅小，输入电压变化δv1≈1v（-1.85～-0.81v），集电极输出电压变化δvo≈0.85v(-1.75～-0.9v),高低电平的电压差值已经小到只能区分bjt的导通和截止两种状态。集电极输出电压的变化小，这不仅有利于电路的转换，而且可采用很小的集电极电阻rc。因此，ecl门的负载电阻总是在几百欧的数量级，使输出回路的时间常数比一般饱和型电路小，有利于提高开关速度。
ecl门的速度快，常用于高速系统中。它的主要缺点是制造工艺要求高，功耗大，抗干扰能力弱。而且由于输出电压为负值，若与其他门电路接口，需用专门的电平位移电路。
双极型逻辑门电路除了ttl和ecl之外，尚有集成注入逻辑门电路(iil或i2l)和高阀值逻辑门电路(htl)。iil电路由于它的电路简单，易于在硅片上实现高集成度的器件，因而在大规模和超大规模集成电路中得到应用。由于它的高、低电平电压差值很小，抗干扰能力较差，因而这种门电路的推广受到限制。至于htl电路，虽然它有较强的抗干扰能力，但它的功耗大，开关速度也不高，已不生产，为cmos电路所取代。