芯片ic寿命老化验证试验
高温老化寿命试验(htol)
参考标准：jesd22-a108；
测试条件：
for devices containing nvm, endurance preconditioning must be performed before htol per q100-005.
grade 0: +150℃ ta for 1000 hours.
grade 1: +125℃ ta for 1000 hours.
grade 2: +105℃ ta for 1000 hours.
grade 3: + 85℃ ta for 1000 hours.
vcc (max) at which dc and ac parametric are guaranteed. thermal shut-down shall not occur during this test.
test before and after htol at room, hot, and cold temperature.
高加速应力试验(hast)
参考标准：jesd22-a110；
测试条件：
plastic packaged parts
grade 0: +175℃ for 1000 hours or +150℃ for 2000 hours.
grade 1: +150℃ for 1000 hours or +175℃ for 500 hours.
grades 2 to 3: +125℃ for 1000 hours or +150℃ for 500 hours.
ceramic packaged parts
+250℃ for 10 hours or +200℃ for 72 hours.
test before and after htsl at room and hot temperature.
* note: data from test b3 (edr) can be substituted for test a6 (htsl) if package and grade level requirements are met.
高温存储试验(htsl)
参考标准：jesd22-a103 ；
测试条件：
plastic packaged parts
grade 0: +175℃ for 1000 hours or +150℃ for 2000 hours.
grade 1: +150℃ for 1000 hours or +175℃ for 500 hours.
grade 2 to 3: +125℃ for 1000 hours or +150℃ for 500 hours.
ceramic packaged parts
+250℃ for 10 hours or +200℃ for 72 hours.
test before and after htsl at room and hot temperature.
* note: data from test b3 (edr) can be substituted for test a6 (htsl) if package and grade level requirements are met.
grgt目前具有以下芯片相关测试能力及技术服务能力：
芯片可靠性验证 ( ra)：
芯片级预处理(pc) & msl试验 、j-std-020 & jesd22-a113 ；
高温存储试验(htsl), jesd22-a103 ；
温度循环试验(tc), jesd22-a104 ；
温湿度试验(th / thb), jesd22-a101 ；
高加速应力试验(htsl/ hast), jesd22-a110；
高温老化寿命试验(htol), jesd22-a108；
芯片静电测试 ( esd)：
人体放电模式测试(hbm), js001 ；
元器件充放电模式测试(cdm), js002 ；
闩锁测试(lu), jesd78 ；
tlp；surge / eos / eft；
芯片ic失效分析 ( fa)：
光学检查(vi/om) ；
扫描电镜检查(fib/sem)
微光分析定位(emmi/ingaas)；
obirch ；micro-probe;
聚焦离子束微观分析(fib)；
弹坑试验(cratering) ；芯片开封(decap) ；
芯片去层(delayer)；晶格缺陷试验(化学法)；
pn结染色 / 码染色试验；
推拉力测试(wbp/wbs)；红墨水试验：
pcba切片分析(x-section)；
芯片材料分析：
高分辨tem (形貌、膜厚测量、电子衍射、stem、haadf)；
sem (形貌观察、截面观察、膜厚测量、ebsd)；
raman (raman光谱)；afm (微观表面形貌分析、台阶测量)；
芯片分析服务：
esd / eos实验设计；
集成电路竞品分析；
aec-q100 / aec-q104开展与技术服务；
未知污染物分析包括：化学成分组成分析、成分含量分析、分子结构分析、晶体结构分析等物理与化学特性分析材料理化特性全方位分析。镀层膜层全方位分析 (镀层膜层分析方案的制定与实施，包括厚度分析、元素组成分析、膜层剖面元素分析)；
grgt团队技术能力：
•集成电路失效分析、芯片良率提升、封装工艺管控
•集成电路竞品分析、工艺分析
•芯片级失效分析方案turnkey
•芯片级静电防护测试方案制定与平台实验设计
•静电防护失效整改技术建议
•集成电路可靠性验证
•材料分析技术支持与方案制定
半导体材料分析手法
芯片测试地点：广电计量-广州总部试验室、广电计量-上海浦东试验室。
芯片测试业务咨询及技术交流：