igbt全称是insulated gate bipolar transistor，绝缘栅双极型晶体管，是由bit（双极型三极管）和mos（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动型电力电子器件，本质上是一个场效应晶体管，只是在漏极和漏区之间多了一个p型层。
功率模块的好坏判断主要是对功率模块内的续流二极管的判断。对于igbt模块还需判断在有触发电压的情况下能否正常导通和关断。
将数字万用表拨到二极管测试档，测试igbt模块cl原el、c2原e2 之间以及栅极g 与el、e2 之间正反向二极管特性来判断igbt模块是否完好。
igbt 的驱动电路有什么特点？
答：驱动电路的作用是将微处理器输出的脉冲进行功率放大，以驱动igbt，保证igbt的可靠工作。驱动电路起着至关重要的作用，igbt 驱动电路有以下基本特点：
（1）提供适当的正向和反向输出电压，使igbt可靠的开通和关断。
（2）提供足够大的瞬态功率或瞬时电流，使igbt能迅速建立栅控电场而导通。
（3）具有尽可能小的输入输出延迟时间，以提高工作效率。
（4）具有足够高的输入输出电气隔离性能，使信号电路与栅极驱动电路绝缘。
（5）具有灵敏的过流保护能力。
以igbt为逆变管的变频器的特点？
答：以igbt为逆变管的变频器的逆变电路与gtr 等其他逆变电路基本相同，但igbt 逆变电路具有以下特点：
（1）载波频率高。大多数变频器的载波频率可在（3耀15 khz）的范围内任意可调。载波频率越高，电流的谐波成分越小。
（2）功耗减小。由于igbt的驱动电路取用电流极小，几乎不消耗功率。而gtr基极回路取用电流常常是安培级的，消耗功率不可小视。