本文为大家介绍我国存储芯片(中国存储芯片概念股)，下面和小编一起看看详细内容吧。
与三星、东芝、美光等公司相比，中国现在在dram内存和nand闪存技术上落后多年，但中国研究人员一直在追赶最新一代技术。不久前有消息称，中国投资130亿元打造pcm相变存储器，性能是普通存储芯片的1000倍，如今更是如虎添翼。复旦大学微电子学院教授张伟、周鹏带领的团队研制出一种新型二维非易失性存储芯片。他们采用半导体结构，研制出的存储芯片性能优异，是传统二维存储芯片的100万倍，而且性能更持久，刷新时间是内存的156倍，耐久性更强。
diy玩家应该知道内存和闪存的优缺点。内存速度极快，但断电数据会丢失，而且价格昂贵。闪存的延迟比内存高一个数量级，但优点是可以保存数据，成本较低。因此，业界一直在寻找能够同时具备内存和闪存优点的存储芯片，即既能保存数据又具有极快的速度。
intel开发的3d xpoint闪存也有类似的特点。它声称其性能是闪存的1000倍，耐用性是闪存的1000倍。性能与内存相似，但这些新型内存芯片还没有达到内存和闪存的成熟水平。
中国学者研制的存储芯片也是朝这个方向发展的。根据他们发表在《nature nanotechnology》杂志上的论文，他们开发的存储芯片并没有使用传统芯片的场效应晶体管的原理，因为后者的物理尺寸已经逐渐增大。在拉远的情况下，会遇到量子效应干扰，所以张伟和周鹏的团队采用了半浮栅（semi-floating gate）晶体管技术。基于此，他们展示了一种近乎非易失性的半浮栅结构，这种新型存储芯片具有优异的性能和耐用性。
具体来说，与dram内存相比，它的数据刷新时间是前者的156倍，即可以保存数据更长时间，而且还具有纳秒（ns）级别的写入速度（延迟为nand闪存一般以毫秒计），比传统二维材料快百万倍。因此这种新型内存有望缩小传统内存与闪存之间的差距。
当然，这项技术的进展还是很不错的，但不要指望这项技术很快就能量产，更不要指望在未来两三年内进入市场，但所有兼具这两种优势的新型存储芯片dram和nand都有这个问题，而且还不够成熟。到了量产上市的地步，传统内存和闪存还有很长的寿命。
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