lumentum apd 芯片是一种基于磷化铟 (inp) 的器件，设计用于高达 11.3 gbps 的高性能电信接收器应用。 通过提供 30 μm 孔径的环形触点，通过中央有源区的顶部照明接收光信号。p（阳极）和 n（阴极）触点在有源区上施加反向电偏压。 圆形 p 键合焊盘的直径为 70 下面文章将为您具体讲解下《优势供应lumentum芯片pa009211》等内容，还请感兴趣的继续阅读了解一下，谢谢!
lumentum apd 芯片是一种基于磷化铟 (inp) 的器件，设计用于高达 11.3 gbps 的高性能电信接收器应用。 通过提供 30 μm 孔径的环形触点，通过中央有源区的顶部照明接收光信号。
p（阳极）和 n（阴极）触点在有源区上施加反向电偏压。 圆形 p 键合焊盘的直径为 70 微米，适用于引线键合。
apd 适用于以 m3 和 m10 之间的倍增增益因子以高达 11.3 gbps 的速度运行。
性能通过包括 dc、cv 和 ac 测试测量的晶圆测试来检查。
<1fit 的可靠性源自超过 400 亿个现场小时。
telcordia esd 等级：min. 500 v型号。
性能特点
400 x 400 x 80 微米尺寸顶部照明 30 μm 孔径高带宽响应能力好2 pf 电容顶部引线焊盘针对环氧树脂附着进行了优化-40 至 +85°c 操作高达3 gbps 的性能非常高的可靠性大批量生产强大的 esd 性能
技术参数
击穿电压（在黑暗中，id=10 µa）vbr：-26…-32 v
暗电流（在黑暗中，vbr * 0.9） id9：50 毫安
3db 带宽，m=10（10 µw 入射 1550 nm，i=100 µa）bwm10 ：6.0 ghz
3db 带宽，m=3（10 µw 入射 1550 nm，i=30 µa）bwm3：6.0 ghz
响应度 （10 µw，1550 nm）r：1.0 a/w
在固定电压下（（vm3 和 vm10，popt = 10µw，λ=1550 nm）1610 nm 时的电流比
）r1610/r1550：0.75
1300 nm 与 1550 nm 的响应率比（在固定电压下（vm3 和 vm10，popt =10 µw, λ=1550 nm) 时的电流比）r1300/r1550：0.70
vbr 温度系数（-40 至 +85°c）dvbr/dt：0.040 …0.061 vdeg-1
总电容（at vbr * 0.9）c：0.22…0.25 pf
光过载（m3）povld：-2 dbm
产品应用
长途网络
单模数据通信和电信
10g pon
产品参数
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