新的毫米波gaas fem实现了额外的5g络容量。空号筛选
中国 北京，2019年12月3日——移动应用、基础设施与国防应用中核心技术与rf解决方案的领先供应商q?， i（纳斯达克代码：qrvo）今日宣布，通过使用新的砷化镓（ga）前端模块（fem）qf4010，使得开发在频段258（2425至275gh）中工作的5g基站变得更加轻松。新的qf4010fem通过减少高达50%的所需基站天线阵列元件数，并为较小的系统配置提供小巧封装尺寸，支持部署5g毫米波（w）基站。
qf4010将功率放大器、功率检测器、开关和低噪声放大器集成在一个紧凑型44封装中。它基于q的90 ga技术，并提供出色的噪声系数，以及比基于其他半导体工艺（如硅锗（sg）或绝缘硅片（soi））更高的输出功率和增益。
q高性能解决方案业务总经理r h表示：“q设计了qf4010来加速频段在258（2425至275gh）的5g络扩张。这种新的fem支持很多毫米波5g用例，并使设备制造商能够轻松升级他们的基站，同时将所需的天线阵列元件数量减少高达50%。”
qf4010较高的输出功率和紧凑尺寸为移动运营商提供了更多的络灵活性，以构建实现最大功率和带宽的高性能、经济高效的基站，而实现全向性辐射功率（eir）需要这些功率和带宽。运营商可以构建较小但更强大的传输阵列，从而在降低总成本的同时保持或改进性能。
qf4010增强的功能可大幅降低系统生命周期的总拥有成本：
符合资格的客户现在可索取qf4010工程样品。
q作为3g代表协助制定5g标准，并且与无线基础设施制造商、络运营商、芯片组供应商和智能手机制造商密切合作，加速5g部署。q已协助完成了数十次5g现场试验，q的28gh产品还为2018年冬奥会的三星? 5g mimo演示提供了支持。