关于sk海力士推出首款128层pcie 4.0 ssd，密度世界第一
4月8日讯，近日，sk海力士宣布推出基于首款 128 层 1tb tlc 4d nand 闪存的企业级 ssd-- pe8111，是针对读取密集型应用设计的高容量存储解决方案。sk海力士是一家全球存储器半导体制造商，其产品组合中包括 am，nand 闪存和控制器，以及 ssd 的全套技术。中国电话号码
据悉，ssd pe8000 系列包括 pe8010、pe8030、pe8111 三款型号，这也是其首款 pcie 40 ssd，无论存储密度、容量还是性能都是世界一流的，甚至是超一流的。
图源：sk 海力士
pe8010 及 pe8030 是首款支持 pcie gen4 接口的 nvme（non-volatile memory express, 非易失性内存主机控制器接口规范）ssd。 两款产品均采用了的 96 层 tlc（triple-level cell）4d nand 闪存和自研控制器，提供的最大容量高达 8tb，且同时支持 u2u3 规格。pe8010 是专门针对读取工作负载而设计的读密集型产品，而 pe8030 则是为混合使用而优化的一款混合型产品。
上述两款产品在低功耗 pcie gen4 ssd 市场上以卓越的性能著称。 pe8010 和 pe8030 均可提供高达 6,500mbs 的顺序读取速度和高达 3,700mbs 的顺序写入速度，并且每秒的随机读取和写入速度（inputoutput per second，iops）分别为 1,100k 和 320k 与于 2019 年推出的解决方案相比，pe8010 的顺序读取性能及随机写入性能分别提高了 103%和 357%，功耗同时被控制在最高 17w 以内。这两款产品将本月开始向客户提供样品。
另外，pe8111 企业级 ssd 是针对读取密集型应用设计的高容量存储解决方案，该产品采用了 sk 海力士尖端技术的精髓 -- 世界首款 128 层 1tb tlc 4d nand 闪存。目前正在开发支持 edsff（enterprisedata center ssd form factor） 1u long（e1l）新规格的 16tb 容量 pe8111 产品，并计划在未来开发 32tb 容量版本的 pe8111sk 海力士计划从今年下半年开始对 16tb pe8111 企业级 ssd 进行送样（sampling）。
pe8111 是针对 open compute project（ocp）存储平台进行过优化的产品。该产品的顺序读取、写入速度最高分别可达 3,400mbs、3,000mbs，而随机写入、读取速度则最高分别可达 700k、100k iops 值得关注的是， 该解决方案使用 128 层 1tb tlc nand，与基于 512gb nand 闪存的解决方案相比，能够在一半面积的 nand die 上实现同样容量。因此，该解决方案具有卓越的性能、功耗， 性价比等方面均能够占据企业级 ssd 市场的主导地位。
pe8010、pe8030都配备了sk海力士自产的96层堆叠4d tlc nand闪存颗粒，搭配自研主控，最大容量8tb，兼容u2、u3接口，其中pe8010面向读取密集型应用，pe8030则为读写混合应用而优化。
性能方面，持续读写速度最高均可达83gbs、37gbs，随机读写速度最高则可达1100k iops、320k iops。
相比于去年的上代产品，持续读取性能提升103％，随机写入性能提升357％，另外最大功耗为17w。
pe8111则是针对读取密集型负载的超大容量版本，应用了世界第一的128层堆叠4d tlc nand闪存颗粒，单颗容量1tb(128gb)，相比于上一代的512gb颗粒只需一半数量的闪存芯片就可以达成同等容量，同样数量闪存芯片则容量轻松翻番。
pe8111现有最大容量为16tb，e1l接口形态，同时正在开发32tb版本。
它特别针对ocp(开放计算项目)存储平台而优化，持续读写速度最高34gbs、30gbs，随机读写速度最高700k iops、100k iops。
sk海力士表示，pe8010、pe8030 ssd已经向客户出样，pe8111下半年出样。
而随着 3d nand 技术的快速发展，三星、铠侠、西部数据、美光、sk 海力士等均已研发出 100 层+3d nand 技术。
以下是各家原厂进展：
sk 海力士最早在 2019 年 6 月公开发布 128 层 4d tlc nand，相较于 96 层的生产效率提高 40%。之后不到半年的时间，sk 海力士在 2019 年 11 月份向主要客户交付基于 128 层 1tb 4d nand 的工程样品，包括 1tb ufs 31、2tb 客户端 cssd、16tb 企业级 essd，2020 下半年都将大规模量产出货。
三星也是在 2019 年 6 月就推出了第六代 v-nand（128 层 256gb 3d tlc nand），8 月份宣布基于该技术已批量生产 250gb sata ssd，同年 11 月实现了第六代 128 层 512gb tlc 3d nand 的量产。三星新建的平泽工厂即将投产，按照投产进度，将有望在 2020 下半年实现投产，量产最先进的 128 层 3d nand。
铠侠在 2020 年 1 月宣布和合作伙伴 western digital（西部数据）携手研发出 3d bics flash 第 5 代产品，采用 112 层 3d nand 技术，试产的是 512gb（64gb），采用 tlc 技术，于 2020 年第一季出样，还计划推出 112 层 1tb（128gb）tlc 以及 133tb qlc 产品，利用双方共同营运的四日市工厂以及北上新建工厂进行生产。
美光于 2019 年 10 月初第一批第四代 3d nand 芯片流片出样，在美光 2020 财年 q2 财报中进一步透露，已在第一季度开始批量生产第四代 128 层 3d nand，将在第三季度开始出货， 预计 2021 年 3d nand 将全面进入 100 层+的时代。