2n7002-7-f晶体管参数信息：
漏源电压（vdss） 60v 连续漏极电流（id）（25°c 时） 115ma
栅源极阈值电压 2.5v @ 250ua 漏源导通电阻 7.5ω @ 50ma,5v
最大功率耗散（ta=25°c） 370mw 类型 n沟道
fet 类型 n 通道 技术 mosfet（金属氧化物）
漏源电压（vdss） 60v 25°c 时电流 - 连续漏极 (id) 115ma（ta）
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on） 5v，10v 不同 id、vgs 时导通电阻（最大值） 7.5 欧姆 @ 50ma，5v
不同 id 时 vgs(th)（最大值） 2.5v @ 250µa vgs（最大值） ±20v
不同 vds 时输入电容 (ciss)（最大值） 50pf @ 25v fet 功能 -
功率耗散（最大值） 370mw（ta） 工作温度 -55°c ~ 150°c（tj）
安装类型 表面贴装型 供应商器件封装 sot-23-3
封装/外壳 to-236-3，sc-59，sot-23-3