1．擎住效应
如前所述，在igbt管内存在一个由两个晶体管构成的寄生晶闸管，同时p基区内存在一个体区电阻rbr，跨接在n+pn晶体管的基极与发射极之间，p基区的横向空穴电流会在其上产生压降，在j3结上形成一个正向偏置电压。若igbt的集电极电流ic大到一定程度，这个rbr上的电压足以使n+pn晶体管开通，经过连锁反应，可使寄生晶闸管导通，从而igbt栅极对器件失去控制，这就是所谓的擎住效应。它将使igbt集电极电流增大，产生过高功耗导致器件损坏。
擎住现象有静态与动态之分。静态擎住指通态集电极电流大于某临界值icm后产生的擎住现象，对此规定有igbt最大集电极电流icm的限制。动态擎住现象是指关断过程中产生的擎住现象。igbt关断时，mosfet结构部分关断速度很快，j2结的反压迅速建立，反压建立速度与igbt所受重加duce/dt大小有关。duce/dt越大，j2结反压建立越快，关断越迅速，但在j2结上引起的位移电流cj2·（duce/dt）也越大。此位移电流流过体区电阻rbr时可产生足以使n+pn管导通的正向偏置电压，使寄生晶闸管开通，即发生动态擎住现象。由于动态擎住时所允许的集电极电流比静态擎住时小，故器件的icm应按动态擎住所允许的数值来决定。为了避免发生擎住现象，使用中应保证集电极电流不超过icm，或者增大栅极电阻rg以减缓igbt的关断速度，减小重加duce/dt值。总之，使用中必须避免发生擎住效应，以确保器件的安全。
2．安全工作区
igbt开通与关断时，均具有较宽的安全工作区。igbt开通时对应正向偏置安全工作区（fbsoa），如图1a）所示。它是由避免动态擎住而确定的最大集电极电流icm、器件内p+np晶体管击穿电压确定的最大允许集射电极电压uce0、以及最大允许功耗线所框成。值得指出的是，由于饱和导通后集电极电流ic与集射极间电压uce无关，其大小由栅极电压ug决定（图1-31a）），故可通过控制ug来控制ic，进而避免擎住效应发生，因此还可确定出与最大集电极电流icm相应的最大栅极电压ugm这个参数。
a） fbsoa b） rbsoa
图1 igbt的安全工作区
igbt关断时所对应的为反向偏置安全工作区（rbsoa），如图1b）所示。它是随着关断时的重加电压上升率duce/dt变化，duce/dt越大，越易产生动态擎住效应，安全工作区越小。一般可以通过选择适当栅极电压ug和栅极驱动电阻rg来控制duce/dt，避免擎住效应，扩大安全工作区。