llc串联谐振电路是一种应用广泛的功率电路，具有高效率和低噪声的特点。其中mosfet寄生电容是影响谐振电路性能的重要因素之一。
寄生电容同样存在于电路的其他元件上，例如电感和开关mosfet的输出电容。在llc串联谐振电路中，mosfet的输出寄生电容会对电路造成不良影响，导致功率损失和电路效率的降低。特别是在高频应用中，寄生电容对电路性能的影响更加明显。
mosfet寄生电容的存在会影响谐振电路的开关过程，而在zvs（零电压开关）的情况下，电压会在开关时瞬间达到峰值，导致电流的短暂中断，从而消耗电能。如果寄生电容较大，电路的损失就会更加明显。相反，当谐振电路的频率增加时，谐振时间减小，寄生电容的影响也会减小。
为了降低mosfet寄生电容对llc串联谐振电路zvs的不良影响，可以采用以下措施：
1. 选择具有低输出电容的mosfet元件。
2. 通过降低电路的工作频率来减小谐振时间，从而降低寄生电容的影响。
3. 增加输出电感的数量和容值。这种方法可以降低电路的瞬态响应，减少瞬间电流的短暂中断，进一步提高电路的效率。
总之，mosfet寄生电容对llc串联谐振电路zvs的影响是不可避免的，但可以通过合理的设计和选择元件来降低不良影响，提高电路的效率和稳定性。