真 空 鍍 膜 簡 介
1.真空鍍膜簡介
1.1.Parylene真空鍍膜技術（CVD.Chemical Vapor Deposition），早期起始於美國航太工業、通訊衛星及國防軍事用途，而後逐漸轉移推廣至民間商業用途，至今約已40年。
1.2.及至今日，各種產品或零件已趨向精密微小化，因此，一般的表面被覆處理方式，如：Epoxy、Urethane、Silicone、ED等，已 無法符合此一嚴格要求。
真 空 镀 膜 之 功 能 说 明
1.温度范围广：适用于-200℃至+200℃之环境温度。
2.无应力表面：电路敏感度不受影响。
3.超薄膜层：表面散热影响程度最低。
4.低摩擦系数：形成表面干膜式润滑效果。
5.有机兼容性：不形成生物排斥现像。
6.透明：膜层可达光学品质。
7.包覆性极佳：可提高电子零件及机械装置之定位。
8.抗溶剂侵蚀性：不溶解于溶剂，可耐受酸、碱液体腐蚀。
9.高阻滞性：氧气、水气渗透性极低，同时防止游离。
10.绝缘性：可耐受3000v/AC高电压。