samsung（三星）今日在旧金山闪存峰会上公布了未来存储产品的一些规划。其中最亮眼的是第五代v-nand闪存芯片，单晶128gb堆叠后单芯片可达2tb容量，这对于ssd扩容有积极意义。另外还公布了一种在m2（ngff）之后的新规格固态硬盘ngsff，以及企业级产品z-ssd。首先机械硬盘是采用磁介质进行数据存储的。在硬盘的盘片表面都涂有磁性介质，这些磁性介质被划分成磁道，在每个磁道上就好像有无数的任意排列的小磁铁，它们分别代表着0和1的状态。
之前我们曾经报道过三星第四代v-nand闪存的消息，而全新一代v-nand闪存单晶1tb，单个芯片可达16tb，换算成ssd容量就是2tb的单芯片容量。闪存颗粒的大幅增容对于ssd瘦身和总体容量提升是一个巨大利好，不过根据此前发布的东芝3d闪存推断，三星第五代v-nand单芯片2tb技术疑似也属于qlc。
此外，三星还公布了一种很近似于目前m2硬盘的新ssd规格：ngsff（next generation small form factor）。ngsff目前主要面对于服务器，对比m2硬盘的ngff规范这种号称“small”的新规范反而更大了，尺寸身材305mm x 110mm x 438mm。新品能有效提高iops，首批成品将于今年三季度出货。同时面对专业领域的z-ssd也会更新，新一代z-nand延迟更低适合高性能服务器，拥有很低的延迟适合大数据处理中心。